CPUユニット KV-8000
仕様
型式 | KV-8000 | |||
一般仕様 | 電源電圧 | KV-5000/3000シリーズ拡張ユニットを使用したシステム構成の場合：DC 24 V （±10%） | ||
使用周囲温度 | KV-5000/3000シリーズ拡張ユニットを使用したシステム構成の場合：0～＋50℃*1*2 （氷結しないこと） | |||
使用周囲湿度 | KV-5000/3000シリーズ拡張ユニットを使用したシステム構成の場合：10～95%RH*1 （結露しないこと） | |||
保存周囲温度 | KV-5000/3000シリーズ拡張ユニットを使用したシステム構成の場合：−20～70℃*1 | |||
保存周囲湿度 | KV-5000/3000シリーズ拡張ユニットを使用したシステム構成の場合：10～95%RH*1 （結露しないこと） | |||
使用雰囲気 | 塵埃、腐食性ガスがひどくないこと | |||
使用標高 | 2000 m以下 | |||
耐ノイズ性 | 1500 Vp-p以上 | |||
耐電圧 | AC1500 V 1分間 （電源端子と入出力端子間、および外部端子一括とケース間） | |||
絶縁抵抗 | 50 MΩ以上 （DC 500 Vメガにて電源端子と入出力端子間、および外部端子一括とケース間） | |||
耐振動 | 断続的な振動がある場合 | 周波数 5 〜 9 Hz | 片振幅 3.5 mm*3 | |
周波数 9 〜 150 Hz | 加速度 9.8 m/s2*3 | |||
連続的な振動がある場合 | 周波数 5 〜 9 Hz | 片振幅 1.75 mm*3 | ||
周波数 9 〜 150 Hz | 加速度 4.9 m/s2*3 | |||
内部消費電流 | 400 mA以下*4 | |||
耐衝撃 | 加速度 150 m/s2、作用時間 11 ms、X,Y,Z各方向2回 | |||
過電圧カテゴリ | Ⅰ（KV-PU1使用時 Ⅱ） | |||
汚染度 | 2 | |||
質量 | KV-8000：約340 g | |||
性能仕様 | 演算制御方式 | ストアードプログラム方式 | ||
入出力制御方式 | リフレッシュ方式 | |||
プログラム言語 | 拡張ラダー、KVスクリプト、ニモニック | |||
命令語数 | 基本命令：80種181語 | |||
命令実行速度 | 基本命令：最小0.96 ns | |||
CPUメモリ容量 | 64 MB | |||
プログラム容量 | 約1500 kステップ | |||
ユニット最大装着数 | 16台（KV-8000/7000シリーズ拡張ユニットのみ） | |||
最大I/O点数 | 拡張時 最大3072点（KV-EB1S/KV-EB1R：2台使用し、64点ユニット使用時） | |||
ビットデバイス | 入力リレー R | 合計32000点 1ビット | ||
出力リレー R | ||||
内部補助リレー R | ||||
自己診断機能 | CPU異常、RAM異常、その他 | |||
ビットデバイス | リンクリレー B | 32768点 1ビット | ||
内部補助リレー MR | 64000点 1ビット | |||
ラッチリレー LR | 16000点 1ビット | |||
コントロールリレー CR | 1280点 1ビット | |||
ワードデバイス | タイマ T | 4000点 32ビット | ||
カウンタ C | ||||
データメモリ DM | 65535点 16ビット | |||
拡張データメモリ EM | ||||
ファイルレジスタ | カレントバンク FM | 524288点 16ビット | ||
連番方式 ZF | ||||
リンクレジスタ W | 32768点 16ビット | |||
テンポラリメモリ TM | 512点 16ビット | |||
インデックスレジスタ Z | 12点 32ビット | |||
コントロールメモリ CM | 7600点 16ビット | |||
コメント・ラベル本体格納数 | デバイスコメント | 約224000個 | ||
ラベル | 約285000個 | |||
停電保持機能 | プログラムメモリ | フラッシュROM 1万回書き換え可能 | ||
デバイス | 不揮発RAM | |||
カレンダタイマ | バックアップ用コンデンサ 約15日（＠25℃） | |||
価格(¥) | 268,000 | |||
*1 システムとしての保証範囲です。 | ||||